IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon e IPP037N08N3GXKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPP075N15N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,92 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Encapsulamento PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-TO220-3 (Through Hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55°C to +175°C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.75 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 6 V, 10 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 214 W
Contagem de pinos — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max]
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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