IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP037N08N3GXKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPP075N15N3GXKSA1 par Infineon et IPP037N08N3GXKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPP075N15N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $1,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) MOSFET (Metal Oxide) - OptiMOS™ 3
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Boîtier PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-TO220-3 (Through Hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55°C to +175°C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typ @ VGS=10V]
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.75 mΩ
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 6 V, 10 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C — 214 W
Nombre de broches — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typ/min/max]
Avalanche Energy Rating (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS]
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis