IPP100N12S305AKSA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPP100N12S305AKSA1 von Infineon und IPT015N10NF2SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPP100N12S305AKSA1 IPT015N10NF2SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,05 $3,10
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench OptiMOS trench, N-channel enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Gepulster Drain-Strom [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +175 °C —
Gehäuse TO-220 (PG-TO220-3-1) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
Montageart Through Hole Surface Mount
Pin-Anzahl 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
Einzelpuls-Avalanche-Energie — [DATA_NEEDED: EAS value]
RoHS-Status — Compliant

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