IPP100N12S305AKSA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPP100N12S305AKSA1 par Infineon et IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPP100N12S305AKSA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPP100N12S305AKSA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $3,10 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS trench | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Courant de drain pulsé | [DATA_NEEDED: pulsed ID value] | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc | 300 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | TO-220 (PG-TO220-3-1) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| MSL Moisture Sensitivity Level | 1 (260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% tested | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green product) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Statut RoHS | — | Compliant |