IPP100N12S305AKSA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IPP100N12S305AKSA1 от Infineon и IPT015N10NF2SATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPP100N12S305AKSA1 ✓ АктивенInfineon
IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IPP100N12S305AKSA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,05 | $3,10 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS trench | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Импульсный ток стока | [DATA_NEEDED: pulsed ID value] | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc | 300 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse | [DATA_NEEDED: EAS] | — |
| Рабочая температура перехода | -55 °C to +175 °C | — |
| Корпус | TO-220 (PG-TO220-3-1) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| Тип монтажа | Through Hole | Surface Mount |
| Число выводов | 3 | — |
| MSL Moisture Sensitivity Level | 1 (260 °C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% tested | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Green product) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Энергия одиночного лавинного импульса | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Статус RoHS | — | Compliant |