IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IPT015N10NF2SATMA1 von Infineon und IPT017N12NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IPT015N10NF2SATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,10 | $1,85 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| Betriebstemperaturbereich | -55 °C to +175 °C | — |
| Gehäuse | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 6 |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| Einzelpuls-Avalanche-Energie | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Transistortyp | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| Betriebstemperatur | — | -55C to +175C |
| Pin-Anzahl | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |