IPT015N10NF2SATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon et IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPT015N10NF2SATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,10 | $1,85 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 315 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 35 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 1.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | 3.8 V at 267 µA | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 300 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench, N-channel enhancement | OptiMOS 6 |
| Gate Drive Voltage (typ) | 10 V | — |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | [DATA_NEEDED: EAS value] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Nombre de broches | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |