IPT017N12NM6ATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPT017N12NM6ATMA1 von Infineon und IPT008N06NM5LFATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPT017N12NM6ATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,85 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Gehäuse PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +175C —
Pin-Anzahl 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
Gepulster Drain-Strom — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Betriebstemperaturbereich — -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Datenblätter & Ressourcen

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