IPT017N12NM6ATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon e IPT008N06NM5LFATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPT017N12NM6ATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,85 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Encapsulamento PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +175C —
Contagem de pinos 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
Status RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
Corrente de dreno pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Fichas técnicas e recursos

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