IPT017N12NM6ATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPT017N12NM6ATMA1 por Infineon y IPT008N06NM5LFATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 - 120V 331A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IPT017N12NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPT017N12NM6ATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,85 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Encapsulado PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Recuento de pines 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
Estado RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
Corriente de drenador pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

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