IPT017N12NM6ATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPT017N12NM6ATMA1 par Infineon et IPT008N06NM5LFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPT017N12NM6ATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT017N12NM6ATMA1 —
Technology OptiMOS 6 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 331 A —
On-Resistance RDS(on) max 1.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 395 W —
Boîtier PG-HSOF-8 (TOLL) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +175C —
Nombre de broches 8 + tab —
Packaging Tape & Reel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
Courant de drain pulsé — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis