IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 von Infineon und IQD016N08NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,84 | $1,68 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | 323 A |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | 333 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gehäuse | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| Pin-Anzahl | 9 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| Betriebstemperaturbereich | — | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |