IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon y IQD016N08NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,84 | $1,68 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | 323 A |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | 333 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| Recuento de pines | 9 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |