IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQDH35N03LM5SCATMA1 von Infineon und IPC50N04S5L5R5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQDH35N03LM5SCATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,05 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Gehäuse PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant —
Marking IQDH35N03LM5S —
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

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