IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQDH35N03LM5SCATMA1 par Infineon et IPC50N04S5L5R5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQDH35N03LM5SCATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,05 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Boîtier PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant —
Marking IQDH35N03LM5S —
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Fiches techniques et ressources

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