IQDH88N06LM5ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQDH88N06LM5ATMA1 von Infineon und IPB60R040CFD7ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQDH88N06LM5ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,05 $5,19
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Drain Current (ID) Continuous at Ta 42 A —
Drain Current (ID) Continuous at Tc 447 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 0.86 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 333 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gehäuse PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: TJ max] -55°C to +150°C
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Verlustleistung (TC=25°C) — 227 W
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Datenblätter & Ressourcen

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