IQDH88N06LM5ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 比較

詳細な並列比較: IQDH88N06LM5ATMA1 メーカー: Infineon および IPB60R040CFD7ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQDH88N06LM5ATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 ✓ 生産中
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IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQDH88N06LM5ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.05 $5.19
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Drain Current (ID) Continuous at Ta 42 A —
Drain Current (ID) Continuous at Tc 447 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 0.86 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 333 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
パッケージ PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: TJ max] -55°C to +150°C
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
Product Family — CoolMOS CFD7
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
消費電力(TC=25°C) — 227 W
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

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