IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE008N03LM5SCATMA1 von Infineon und IQE013N04LM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE008N03LM5SCATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 —
Technology Trench MOSFET (N-Channel) OptiMOS N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 252 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 0.85 mΩ at VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) 2 V (typ)
Gate Drive Voltage 10 V (recommended) —
Gehäuse PG-WHSON-8 (Source-Down) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
Configuration Single N-Channel —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Cooling Architecture Source-Down, dual-side cooling —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C -55 °C to +175 °C
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

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