IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IQE008N03LM5SCATMA1 por Infineon e IQE013N04LM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,18 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | 2 V (typ) |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| Encapsulamento | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 °C to +150 °C | -55 °C to +175 °C |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |