IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE008N03LM5SCATMA1 par Infineon et IQE013N04LM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | 2 V (typ) |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| Boîtier | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | -55 °C to +175 °C |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |