IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE022N06LM5CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE018N06NM6CGATMA1 von Infineon und IQE022N06LM5CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE018N06NM6CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,21 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 178 A —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 25 A —
R_DS(on) max (V_GS=10 V) 1.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.3 V (logic-level compatible) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Gehäuse PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) -55C to +150C
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode)
RoHS Compliance Compliant —
Part Family — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C — 24 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 151 A
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) — 2.2 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Power Dissipation (T_A) — 2.5 W
Power Dissipation (T_C) — 100 W
Pin-Anzahl — 9 (with exposed thermal pad)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

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