IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE022N06LM5CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE018N06NM6CGATMA1 par Infineon et IQE022N06LM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE018N06NM6CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,21 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 178 A —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 25 A —
R_DS(on) max (V_GS=10 V) 1.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.3 V (logic-level compatible) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +150C
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode)
RoHS Compliance Compliant —
Part Family — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C — 24 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 151 A
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) — 2.2 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Power Dissipation (T_A) — 2.5 W
Power Dissipation (T_C) — 100 W
Nombre de broches — 9 (with exposed thermal pad)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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