IQE018N06NM6CGATMA1 vs IQE022N06LM5CGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE018N06NM6CGATMA1 por Infineon y IQE022N06LM5CGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE018N06NM6CGATMA1 IQE022N06LM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,21 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 178 A —
Continuous Drain Current (I_D, Ta) 25 A —
R_DS(on) max (V_GS=10 V) 1.8 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.3 V (logic-level compatible) [DATA_NEEDED: V_GS(th) value]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Encapsulado PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction) -55C to +150C
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 6 N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode)
RoHS Compliance Compliant —
Part Family — OptiMOS 5
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C — 24 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 151 A
R_DS(on) (typical, V_GS=10V) — 2.2 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: Q_G value]
Power Dissipation (T_A) — 2.5 W
Power Dissipation (T_C) — 100 W
Recuento de pines — 9 (with exposed thermal pad)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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