IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE020N04LM6CGSCATMA1 von Infineon und ISC037N12NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE020N04LM6CGSCATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C 166 A —
Maximum RDS(on) 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 107 W —
Gehäuse PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Pin-Anzahl 9 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) -55C to +175C (junction)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 6 trench OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

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