IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE020N04LM6CGSCATMA1 por Infineon e ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQE020N04LM6CGSCATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,65 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C 166 A —
Maximum RDS(on) 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 107 W —
Encapsulamento PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Contagem de pinos 9 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) -55C to +175C (junction)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 6 trench OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fichas técnicas e recursos

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