IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE020N04LM6CGSCATMA1 von Infineon und ISZ230N10NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE020N04LM6CGSCATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C 166 A —
Maximum RDS(on) 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 107 W —
Gehäuse PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Pin-Anzahl 9 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) -55 °C to +150 °C (junction)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 6 trench OptiMOS 6 trench MOSFET
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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