IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 비교
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Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IQE020N04LM6CGSCATMA1 | ISZ230N10NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.65 | $0.71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 100 V |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | 166 A | — |
| Maximum RDS(on) | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 107 W | — |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) |
| 핀 수 | 9 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) | -55 °C to +150 °C (junction) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | OptiMOS 6 trench | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 7.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 31 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 23 mΩ (typ, ID=10A) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.3 V (typ at 13 µA) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |
| Family | — | OptiMOS 6 (100V class) |