IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE020N04LM6CGSCATMA1 por Infineon y ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9

IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ Activo
Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE020N04LM6CGSCATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,65 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C 166 A —
Maximum RDS(on) 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 107 W —
Encapsulado PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Recuento de pines 9 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) -55 °C to +150 °C (junction)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 6 trench OptiMOS 6 trench MOSFET
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Family — OptiMOS 6 (100V class)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización