IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE020N04LM6CGSCATMA1 por Infineon e ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE020N04LM6CGSCATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,65 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C 166 A —
Maximum RDS(on) 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 107 W —
Encapsulamento PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Contagem de pinos 9 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) -55 °C to +150 °C (junction)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Technology OptiMOS 6 trench OptiMOS 6 trench MOSFET
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Family — OptiMOS 6 (100V class)

Fichas técnicas e recursos

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