IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE050N08NM5CGSCATMA1 von Infineon und IQE065N10NM5CGSCATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,74 $1,28
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A 13 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction, typical) -55 C to +150 C
Gehäuse PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
MSL-Level 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C — 85 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 6.5 mOhm
Power Dissipation at TA — 2.5 W
Power Dissipation at TC — 100 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

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