IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE050N08NM5CGSCATMA1 por Infineon y IQE065N10NM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $1,28
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A 13 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C (junction, typical) -55 C to +150 C
Encapsulado PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
Nivel MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C — 85 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 6.5 mOhm
Power Dissipation at TA — 2.5 W
Power Dissipation at TC — 100 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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