IQE050N08NM5CGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE050N08NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE065N10NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE050N08NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $1,28
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 trench-gate
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 99 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16 A 13 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.0 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.8 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation at TC (PD) 100 W —
Total Power Dissipation at TA (PD) 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction, typical) -55 C to +150 C
Boîtier PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-free, RoHS compliant —
Niveau MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C — 85 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 6.5 mOhm
Power Dissipation at TA — 2.5 W
Power Dissipation at TC — 100 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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