IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE065N10NM5CGSCATMA1 von Infineon und IQE013N04LM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,28 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 13 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 6.5 mOhm —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 100 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2 V (typ)
Gehäuse PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench-gate OptiMOS N-channel trench MOSFET
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

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