IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE065N10NM5CGSCATMA1 por Infineon e IQE013N04LM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,28 $0,71
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C 85 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 13 A —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 6.5 mOhm —
Power Dissipation at TA 2.5 W —
Power Dissipation at TC 100 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 2 V (typ)
Encapsulamento PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench-gate OptiMOS N-channel trench MOSFET
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

Fichas técnicas e recursos

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