IQE220N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE220N15NM5ATMA1 von Infineon und ISC015N06NM5LF2ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE220N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,84 $2,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W 217 W
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) 3 V
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V 90 nC
Input Capacitance (Ciss) 14 pF 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) 340 pF 1.3 nF
Ausgangskonfiguration Single N-Channel —
Gehäuse PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

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