IQE220N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE220N15NM5ATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5LF2ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IQE220N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,84 $2,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W 217 W
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) 3 V
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V 90 nC
Input Capacitance (Ciss) 14 pF 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) 340 pF 1.3 nF
Configuração de saída Single N-Channel —
Encapsulamento PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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