IQE220N15NM5ATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5ATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5LF2ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE220N15NM5ATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $2,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W 217 W
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) 3 V
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V 90 nC
Input Capacitance (Ciss) 14 pF 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) 340 pF 1.3 nF
Configuration de sortie Single N-Channel —
Boîtier PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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