IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE220N15NM5CGATMA1 von Infineon und IQE050N08NM5CGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE220N15NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $1,75
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-State Resistance RDS(on) max 22 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W 100 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gehäuse PG-TTFN-9-3 (Source-Down) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (estimated from Tj max) —
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Source-Down)
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Pin-Anzahl 9 (TTFN) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Betriebstemperatur — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]

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