IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5CGATMA1 par Infineon et IQE050N08NM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE220N15NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $1,75
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-State Resistance RDS(on) max 22 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W 100 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (Source-Down) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (estimated from Tj max) —
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Source-Down)
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Nombre de broches 9 (TTFN) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Température de fonctionnement — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]

Fiches techniques et ressources

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