IQE220N15NM5CGATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IQE220N15NM5CGATMA1 por Infineon e IQE050N08NM5CGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IQE220N15NM5CGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $1,75
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at Ta] —
On-State Resistance RDS(on) max 22 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W 100 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulamento PG-TTFN-9-3 (Source-Down) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (estimated from Tj max) —
Technology Trench MOSFET, OptiMOS 5 OptiMOS 5 (Source-Down)
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Contagem de pinos 9 (TTFN) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Temperatura de operação — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação