IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPTC054N15NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE220N15NM5CGSCATMA1 von Infineon und IPTC054N15NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE220N15NM5CGSCATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,18 $1,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5 (IPT family)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Gehäuse PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled)
Montageart Surface Mount Surface Mount (top-side cooled)
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 17.5 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 143 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 250 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A — 5.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 58 nC
Forward Body Diode Voltage (VSD) — 0.83 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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