IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPTC054N15NM5ATMA1 比較

詳細な並列比較: IQE220N15NM5CGSCATMA1 メーカー: Infineon および IPTC054N15NM5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IQE220N15NM5CGSCATMA1 IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ 生産中
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IPTC054N15NM5ATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IPTC054N15NM5ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IQE220N15NM5CGSCATMA1 IPTC054N15NM5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.18 $1.52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5 (IPT family)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current at Ta (ID) 7 A —
Continuous Drain Current at Tc (ID) 44 A —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 100 W —
On-Resistance (RDS(on)) 22 milliohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
パッケージ PG-WHTFN-9 (Source-Down) PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount (top-side cooled)
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 17.5 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 143 A
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 250 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A — 5.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 58 nC
Forward Body Diode Voltage (VSD) — 0.83 V
動作接合温度 — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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