IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IPTC054N15NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5CGSCATMA1 par Infineon et IPTC054N15NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ ActifInfineon
IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IPTC054N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,18 | $1,52 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (IPT family) |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 150 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Boîtier | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (top-side cooled) |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 17.5 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 143 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 250 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | — | 5.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 58 nC |
| Forward Body Diode Voltage (VSD) | — | 0.83 V |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |