IQE220N15NM5SCATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IQE220N15NM5SCATMA1 von Infineon und IQE220N15NM5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IQE220N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,78 $0,84
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench >=100V) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A 44 A
On-State Resistance (RDS(on)) max 22 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Gehäuse PG-WHSON-8-1 (Source-Down) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Anzahl der Pins 8 —
MSL-Level 1 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V (typ at 46 µA)
Total Gate Charge (Qg) — 14.4 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 14 pF
Output Capacitance (Coss) — 340 pF
Ausgangskonfiguration — Single N-Channel
Betriebstemperatur — -55C to +150C (junction)

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