IQE220N15NM5SCATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 비교
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Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 Source-Down N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IQE220N15NM5SCATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.78 | $0.84 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench >=100V) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | 44 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 22 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| 패키지 | PG-WHSON-8-1 (Source-Down) | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (junction) | — |
| 핀 수 | 8 | — |
| MSL 레벨 | 1 | 1 |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Configuration | Single | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14.4 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 340 pF |
| 출력 구성 | — | Single N-Channel |
| 동작 온도 | — | -55C to +150C (junction) |