IQE220N15NM5SCATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5SCATMA1 par Infineon et IQE220N15NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 Source-Down N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE220N15NM5SCATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,84 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench >=100V) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 7 A | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 44 A | 44 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 22 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Boîtier | PG-WHSON-8-1 (Source-Down) | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Configuration | Single | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14.4 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 340 pF |
| Configuration de sortie | — | Single N-Channel |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |