IQE220N15NM5SCATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IQE220N15NM5SCATMA1 от Infineon и IQE220N15NM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IQE220N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5SCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 Source-Down N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5SCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 Source-Down N-MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5SCATMA1 ✓ Активен
Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IQE220N15NM5SCATMA1 IQE220N15NM5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,78 $0,84
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench >=100V) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A 7 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A 44 A
On-State Resistance (RDS(on)) max 22 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Корпус PG-WHSON-8-1 (Source-Down) PG-TSON-8-5 (Source-Down)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55C to +150C (junction) —
Количество выводов 8 —
Уровень MSL 1 1
Статус RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 100 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 22 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.6 V (typ at 46 µA)
Total Gate Charge (Qg) — 14.4 nC at 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 14 pF
Output Capacitance (Coss) — 340 pF
Выходная конфигурация — Single N-Channel
Рабочая температура — -55C to +150C (junction)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену