IR21531STRPBF vs IR21271STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR21531STRPBF von Infineon und IR21271STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR21531STRPBF IR21271STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,70 $1,82
Configuration Half-Bridge High-Side or Low-Side
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Anzahl der Ausgänge 2 (high-side, low-side) 1
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 9 V to 20 V
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V 600 V max
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Anstiegszeit 80 ns [DATA_NEEDED: rise time]
Abfallzeit 45 ns [DATA_NEEDED: fall time]
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
RoHS-Status Compliant (ROHS3) —
Input Polarity — Non-Inverting
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Datenblätter & Ressourcen

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