IR21531STRPBF vs IR21271STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR21531STRPBF por Infineon e IR21271STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR21531STRPBF IR21271STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,70 $1,82
Configuration Half-Bridge High-Side or Low-Side
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Número de saídas 2 (high-side, low-side) 1
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 9 V to 20 V
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V 600 V max
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Tempo de subida 80 ns [DATA_NEEDED: rise time]
Tempo de descida 45 ns [DATA_NEEDED: fall time]
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulamento 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant (ROHS3) —
Input Polarity — Non-Inverting
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Fichas técnicas e recursos

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