IR21531STRPBF vs IR21271STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR21531STRPBF par Infineon et IR21271STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR21531STRPBF IR21271STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,70 $1,82
Configuration Half-Bridge High-Side or Low-Side
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
Nombre de sorties 2 (high-side, low-side) 1
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 9 V to 20 V
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V 600 V max
Peak Source/Sink Current 250 mA —
Temps de montée 80 ns [DATA_NEEDED: rise time]
Temps de descente 45 ns [DATA_NEEDED: fall time]
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant (ROHS3) —
Input Polarity — Non-Inverting
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns typical
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-Free, suffix PBF)
Integrated Current Sense — Yes (CS pin + shutdown)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes (high-side rail)

Fiches techniques et ressources

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